特許

J-GLOBAL ID：200903005530357268

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法

発明者： 小金井 昭雄 ,  平井 匡彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270473
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077269
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果を用いた不揮発の固体メモリ素子、およびメモリとそれらの記録再生方法を提供する。【解決手段】 メモリ素子は、基板上に磁化が膜面垂直方向である第1磁性層と第2磁性層と、その間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子と、その上部に設けられたビット線と、第1磁性層、第2磁性層の磁化方向を電流によって変化させる書込み線と、電界効果トランジスタからなり、そのトランジスタのドレイン領域の直上に、磁気抵抗素子が形成され、書込み線を磁気抵抗素子を挟む位置に上下に2本ずつ計4本設け、書込み線の電流磁界により磁気抵抗素子の磁化状態を変化させる。記録再生方法は、第1の磁性層の磁化方向を所定方向に初期化し、書込み線に電流を流して、磁気抵抗素子の第2磁性層の磁化方向を決定して情報を記録し、磁気抵抗素子の抵抗の絶対値を検出して、記録情報を再生する。

請求項（抜粋）：

基板上に磁化容易軸が膜面垂直方向である第1磁性層と第2磁性層が積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子の上部に設けられたビット線と、前記第1磁性層または第2磁性層の磁化方向を電流によって発生する磁界により変化させる書き込み線と、電界効果トランジスタからなり、前記電界効果トランジスタのドレイン領域の直上に、前記磁気抵抗素子が形成されているメモリ素子において、前記書き込み線を前記磁気抵抗素子を挟む位置に上下に2本ずつ合計4本設け、前記書き込み線の電流磁界により前記磁気抵抗素子の磁性層の磁化状態を変化させることを特徴とするメモリ素子。

IPC (4件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA30 ,  5F083HA02 ,  5F083KA20 ,  5F083LA03 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40