特許
J-GLOBAL ID：200903005531570089
マイクロ波低雑音増幅回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-111326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308229
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】入力インピーダンスが非常に高くなり、低雑音化が困難な低周波領域で雑音指数が向上するFETを用いた低雑音増幅器を提供する。【構成】FETのゲート電極とソース電極間にキャパシタを装荷し、ソース電極と接地導体間にインダクタを装荷する。【効果】上記の構成により、FETの入力インピーダンスが低下するため、入力整合回路に要するインダクタンス値が減少し、入力整合回路の損失が低減し、増幅器の雑音指数が向上できる。また、等価雑音抵抗の低下、入力整合をとるソースアドミタンスと雑音を最小とするソースアドミタンスの値の接近の効果により、雑音指数と入力整合特性の双方の最適化を容易とする。さらに、安定化指数の増加により、安定な増幅器が容易に実現できる。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタを用いたマイクロ波増幅回路において、ゲート電極とソース電極間に容量性素子を装荷し、ソース電極と共通導体間に誘導性素子を装荷したことを特徴とするマイクロ波低雑音増幅回路。
IPC (4件)：
H03F 3/60
, H03F 1/26
, H03F 3/193
, H03F 1/22
