特許
J-GLOBAL ID：200903005531938930
薄膜EL素子の製造方法および製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115657
公開番号（公開出願番号）：特開平7-320873
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 アニール処理時間を短くし、生産性の優れた薄膜EL素子の製造方法および製造装置を提供する。【構成】 ステージ22の表面22aにアニール処理されるべき処理用基板11bが載置される。基板11bは、透光性基板12上に、下部電極13、下部絶縁層14、EL発光層15および上部絶縁層16がこの順に形成されて構成される。ステージ22の表面22aに対向する上方には、光照射手段29が設けられる。光照射手段29は、複数の光源23と反射板24とを含み、反射板24に設けられた複数の凹所24aに沿って光源23がそれぞれ配置される。光源23からの光は、基板11bの表面のほぼ全面に照射される。光源23からの光は、基板11bの下部電極13の電極材料の吸収波長帯域を含む光に選ばれる。所定の温度に到達すると、光照射が停止され、冷却される。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つのEL発光層と、前記EL発光層に電界を印加するための電極とを含む薄膜EL素子の製造方法において、母材と当該母材中に添加される発光中心とを含んで成る前記EL発光層を加熱して、前記母材の結晶性を向上するとともに前記発光中心の母材への分布を均一にするアニール処理を、前記電極を構成する電極材料の吸収波長帯域を含む光を照射することによって行うことを特徴とする薄膜EL素子の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
