特許

J-GLOBAL ID：200903005532043759

酸化物超電導体

発明者： 福島 公親
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298979
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139736
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【目的】 臨界電流密度を向上させた酸化物超電導体の提供を目的とする。【構成】 酸化物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する結晶中に、たとえば3価のTi酸化物,3価のZr酸化物,4価のNb酸化物,6価の W酸化物など、6個の酸素イオンが存在して八面体を形成する金属酸化物および4個の酸素イオンが存在して平面体を形成する金属酸化物の群れから選ばれた少なくともいずれか1種の絶縁相を析出ないしクラスターさせて成ることを特徴とする。すなわち、酸化物超電導体を成すの結晶中1に、Tiなどを注入(導入)してそれらの酸化物絶縁相をクラスター2aや析出物2bとして形成・存在させ、これらを磁束のピン止め中心(超電導のコヒーレンス長の2倍程度以上の大きさを持つ強いピン止め中心)として機能させることを骨子とする。

請求項（抜粋）：

酸化物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する結晶中に、6個の酸素イオンが存在して八面体を成す金属酸化物および4個の酸素イオンが存在して平面体を成す金属酸化物から選ばれたの少なくともいずれか1種の絶縁相を析出ないしクラスターさせて成ることを特徴とする酸化物超電導体。

IPC (6件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA