特許
J-GLOBAL ID:200903005533026858
自発光素子およびその製造方法、照明装置、並びに2次元表示装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-257583
公開番号(公開出願番号):特開2001-085738
出願日: 1999年09月10日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】 発光効率を向上させることができる自発光素子を提供する。【解決手段】 本発明の自発光素子4においては、サファイア基板6の上に、発光層に接する層(GaN)2、発光層1、p側GaN19、およびp電極3が形成されている。発光層1から発生した光は、発光層に接する層(GaN)2を通してサファイア基板6の方向に出射する。ここで、p電極3は、金属からなり反射機能を有してるいる。また、発光層に接する層(GaN)2は、その側面が光を出射する方向に開いた形状を有している。さらに、発光層に接する層(GaN)2の側面の少なくとも1部は、発光層1からの光を全反射する形状を有している。
請求項(抜粋):
発光層と、直接または他の層を介して、発光層に接する層と、上記発光層の、上記発光層に接する層と反対側に形成された電極とを含み、上記電極は、反射機能を有し、上記発光層に接する層の、発光層と反対側の面から光を出射する自発光素子において、以下のことを特徴とする自発光素子。(イ)発光層に接する層は、その側面が光を出射する方向に開いた形状を有する。(ロ)上記側面の少なくとも1部は、発光層からの光を全反射する形状を有する。
IPC (4件):
H01L 33/00
, H05B 33/10
, H05B 33/12
, H05B 33/22
FI (5件):
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 M
, H05B 33/10
, H05B 33/12 A
, H05B 33/22 Z
Fターム (19件):
3K007AB03
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CB01
, 3K007CC01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EC00
, 3K007FA01
, 5F041AA03
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA74
, 5F041CB11
, 5F041CB22
, 5F041CB25
, 5F041EE23
引用特許:
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