特許
J-GLOBAL ID：200903005536609846
半導体結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052798
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259089
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 シリコン等IV族半導体の超薄膜半導体結晶の製造方法に関し、成長の所要時間が短く、結晶性に優れたシリコン系半導体の単原子層を、再現性よく基板上に堆積する実用性の高い半導体結晶の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン水素化物を原料ガスとして成長装置の反応室内に導入し、反応室内で原料ガスを分解して加熱した基板上にシリコンの結晶を堆積する気相成長法において、成長装置のガス導入経路から所定のシリコンの原料ガスを反応室内に所定量導入する第1の工程と、第1の光源から放出される紫外光を基板は照射しない状態で前記反応室内の原料ガスに照射し、当該基板上に水素化シリコン反応種を層状に吸着させる第2の工程と、反応室への原料ガス導入を停止し、反応室内の水素を含む原料ガスを排出する第3の工程と、前記基板上に第2の光源から放出される140nm以下の波長の紫外光を照射して前記吸着反応種から水素を脱離させ、以て基板上にシリコン結晶層を成長せしめる第4の工程とを含む。
請求項（抜粋）：
シリコン水素化物を原料ガスとして成長装置の反応室内に導入し、反応室内で原料ガスを分解して加熱した基板上にシリコンの結晶を堆積する気相成長法において、成長装置のガス導入経路(3)から所定のシリコンの原料ガスを反応室(1)内に所定量導入する第1の工程と、第1の光源(5)から放出される紫外光を選択的に前記反応室内の原料ガスに照射し、当該基板(2)上に水素化シリコン反応種を層状に吸着させる第2の工程と、反応室への原料ガス導入を停止し、反応室(1)内の水素を含む原料ガスを排出する第3の工程と、前記基板(2)上に第2の光源(6)からの紫外光を照射して前記吸着反応種から水素を脱離させ、以て基板(2)上にシリコン結晶層を成長せしめる第4の工程とを含む半導体結晶の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/205
, C23C 14/28
, C30B 23/02
, C30B 25/02
, C30B 25/14
, H01L 21/263
