特許
J-GLOBAL ID：200903005537924915
積層TFT駆動薄膜EL素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075923
公開番号（公開出願番号）：特開平5-242970
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 熱ストレスにより電極にひび割れ等の劣化現象が生ずることがなく、信頼性、歩留りの高い積層TFT駆動薄膜EL素子を提供する。【構成】 EL素子2の上には、TFT6a,6bが配されており、EL素子2を構成とする背面電極11、EL素子2とTFT6a,6bとの間に配され接地状態にされている接地電極4及びゲ-ト電極13は、Tiから形成されているので熱ストレスに強く内部応力の小さいものとなる。
請求項（抜粋）：
透明電極の上に第1の絶縁層、発光層、第2の絶縁層及び背面電極を順に積層してなる薄膜EL素子と、前記薄膜EL素子上に、絶縁層、接地された電極層及び絶縁層を介して前記薄膜EL素子の発光動作を制御するための薄膜トランジスタを配した積層TFT駆動薄膜EL素子であって、前記背面電極、接地された電極層及び前記薄膜トランジスタのゲ-ト電極は内部応力が2×109 dyne/cm2 以下となる導電性部材からなることを特徴とする積層TFT駆動薄膜EL素子。
IPC (2件)：
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