特許
J-GLOBAL ID：200903005541327409
ITOスパッタリングターゲットとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144393
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：
【要約】【課題】 広面積に渡って安定な高品質の成膜を得るべく改良された大型のITOスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 In2 O3 とSnO2 の比表面積が15m2 /g以上の混合粉末からなる造粒粉を、好ましくは、軸金型プレスで一次成形体に成形した後、防水パック処理し、冷間静水圧プレスにより等方加圧して成形密度を均一化した後、得られた相対密度が45%以上の二次成形体をこの二次成形体の平面に平行なヒータを上下に配置した焼結電気炉内に入れ、1500°C前後の温度で約10時間焼成して焼結体を得る。このようにして得た相対密度の平均値が90%以上で、ばらつきが前記平均値の±2%以内の焼結体をバッキングプレートに接合して800cm2 以上の大型ターゲットに作製することにより、スパッタリングに際し、異常放電やノジュールの発生もなく、良好な成膜が得られるという効果を奏する。
請求項（抜粋）：
相対密度が平均値で90%以上、相対密度のばらつきが前記平均値の±2%以内で、平面積が800cm2以上であるITO焼結体からなることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C01G 19/00
, C04B 35/457
, H01B 13/00 503
C23C 14/34 A
, C01G 19/00 A
, H01B 13/00 503 B
, C04B 35/00 R
4G030AA34
, 4G030AA39
, 4G030BA02
, 4G030BA15
, 4G030CA04
, 4G030GA27
, 4G030GA29
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5G323BA02
, 5G323BB05
