特許

J-GLOBAL ID：200903005549237786

有機膜のエッチング方法

発明者： 井川 英治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-209621
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037061
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 基板上のパターンの疎密に関わらず異方的な多層レジストのエッチング形状を得る。【構成】 酸化膜7若しくは窒化膜上に多層レジスト構造を形成し、多層レジスト中の下層有機膜9の下層にSi膜8を形成しておき、下層有機膜9のエッチングに際しては、Si膜8を下地とし、酸素ガスにハロゲンガスを混合したガスをエッチングガスに用いてドライエッチングを行う。有機膜の下地にSiを用いることで、添加されたハロゲン種は、シリコンのハロゲン化物となって消費され、追加エッチングの際に、基板面内にパターンの疎密があっても側壁凹凸は生じない。

請求項（抜粋）：

酸化膜若しくは窒化膜上に形成された多層レジスト構造における有機膜をエッチングする有機膜のエッチング方法であって、酸化膜若しくは窒化膜は、多層レジストプロセスを用いてエッチングするものであり、多層レジスト構造は、被エッチング材料となる酸化膜若しくは窒化膜上にSi膜を堆積後、下層有機膜,中間層,上層レジストが順に積層され、あるいは下層有機膜,2層レジストプロセス露光用レジストを形成したものであり、有機膜のエッチングは、Si膜を下地とし、酸素ガスにハロゲンを混合したエッチングガスを用いてドライエッチングする処理であることを特徴とする有機膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 R