特許
J-GLOBAL ID：200903005554060266
半導体発光素子、およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236425
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102552
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】半導体発光素子の積層部の最表面の部位から光を出射させる場合に、この光が電極によって遮られるなどして発光輝度が低下することを防止し、高い発光輝度が効率よく得られるようにする。【構成】基板2の表面上に、n型半導体層3、発光層4、およびp型半導体層5から構成される積層部6が形成され、上記発光層4から発せられる光が上記積層部6の最表面の部位から出射するように構成されている半導体発光素子において、上記n型半導体層3とp型半導体層5との各層に電圧印加を行うための一対の電極8a,8bが、上記積層部6の側面部に形成され、これら一対の電極8a,8bは、上記n型半導体層3およびp型半導体層5の端面部または端縁部に導通している。
請求項（抜粋）：
基板の表面上に、n型半導体層、発光層、およびp型半導体層から構成される積層部が形成され、上記発光層から発せられる光が上記積層部の最表面の部位から出射するように構成されている半導体発光素子において、上記n型半導体層とp型半導体層との各層に電圧印加を行うための一対の電極が、上記積層部の側面部に形成され、かつ、これら一対の電極は、上記n型半導体層およびp型半導体層の端面部または端縁部に導通していることを特徴とする、半導体発光素子。
引用特許：
前のページに戻る
