特許

J-GLOBAL ID：200903005555809422

半導体発光素子

発明者： 山本 雅裕 ,  布上 真也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284144
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114598
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて高い光閉じ込めを実現する。【解決手段】 窒化ガリウム系半導体レーザは、サファイア基板11上に形成されたダブルへテロ構造であり、図中12は、AlGaNコンタクト層、13はn型GaNコンタクトクラッド層、14はGaN/InGaN/GaNからなる量子井戸層である。15はp型AlGaN電流拡散防止層、16は、p型GaNコンタクトクラッド層、17,18はそれぞれnとp側の電極である。

請求項（抜粋）：

pn接合を形成するように積層され、基本的にIII族窒化物からなる複数の層を有する積層膜と、前記pn接合に電流を供給するするように前記、積層膜に接合されたn側およびp側電極と、発行層を挟む前記半導体層において、発光部分を中心に、光閉じ込めがなされ、光分布の90%において中心から離れるに従い光分布が小さくなる閉じ込め構造を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673

Fターム (18件)：

5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB03 ,  5F073AA09 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA23