半導体部材の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-264674
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078118
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】移設法(貼り合わせ、分離)を利用した歪みSOI基板の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板11上に多孔質層12、シリコン層13、SiGe層14及びシリコン層15を順に形成して第1の基板10を作製する。次いで、第1の基板10のシリコン層15の全部とSiGe層14の一部を酸化させて、最終的に埋め込み酸化膜となる酸化膜を形成する。次いで、第1の基板10と第2の基板を貼り合わせ、その後、分離層12の部分で分離する。

請求項（抜粋）：

半導体部材の製造方法であって、第1及び第2の半導体材料を含む結晶層を有する第1の部材を準備する準備工程と、前記結晶層の一部が酸化されるように前記第1の部材をその表面から酸化させて酸化膜を形成する酸化工程と、前記酸化工程を経た前記第1の部材の前記酸化膜側に第2の部材を貼り合わせ、その後、前記第1の部材のうち前記結晶層を含む移設層が前記第2の部材に移設されるように前記第1の部材のうち前記移設層以外の部分を除去する移設工程と、を含むことを特徴とする半導体部材の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , H01L 21/336 , H01L 21/762 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/12 B , H01L 27/12 E , H01L 21/76 D , H01L 29/78 627 D

Fターム (68件)：

5F032AA06 , 5F032AA09 , 5F032AA13 , 5F032AA35 , 5F032AA91 , 5F032CA05 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA13 , 5F032DA53 , 5F032DA67 , 5F032DA71 , 5F110AA01 , 5F110AA09 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ22 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HK42 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL14 , 5F110HL22 , 5F110HL24 , 5F110HL26 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN25 , 5F110NN26 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN66 , 5F110QQ01 , 5F110QQ08 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19

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