半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-174819
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016469
出願日： 2007年07月03日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】TFTにおいては、ガラスからなる基板1上に、下地SiN膜2、下地SiO2膜3、およびSi膜14が順に配置されている。Si膜14においては、活性領域4の両隣に、LDD領域5を介して、ソース領域6とドレイン領域7とが配置されている。ソース領域6・ドレイン領域7間には、ソース電極11およびドレイン電極12を用いて、所定のドレイン電圧が印加される。また、活性領域4には、ゲート電極9を用いて、所定のゲート電圧が印加される。Si膜14の端に位置する端部領域は、エッチングにより形成され断面形状がテーパ状となっている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

活性領域および前記活性領域の両隣にそれぞれ第一および第二の不純物領域を少なくとも有し絶縁性基板あるいは絶縁膜上に配置された半導体層と、前記活性領域へゲート電圧を与えるためにゲート絶縁膜を介して前記活性領域へ接するように配置されたゲート電極と、前記第一および第二の不純物領域間に前記ゲート電圧に応じたチャネルで電流を流すために前記第一および第二の不純物領域にそれぞれ接するように配置された第一および第二の電極とを備える半導体装置であって、前記活性領域は、エッチングにより設けられた所定の領域を含み、前記活性領域の表面積のうち前記所定の領域の表面積の割合は2%以上である半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618C , H01L29/58 G , H01L29/78 616A

Fターム (56件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB13 , 4M104CC05 , 4M104DD24 , 4M104DD91 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-311261 出願人：東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社

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