特許
J-GLOBAL ID：200903005565334112
MISトランジスタの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-359158
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204250
出願日： 1992年12月26日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【構成】 MISトランジスタを作製する方法に関して、ゲイト絶縁膜、ゲイト電極部を形成した後に、ゲイト電極部をマスクとして自己整合的にゲイト絶縁膜をエッチングして、これを薄くし、その後、高速イオンを照射して、自己整合的に半導体領域に不純物領域を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体領域上にゲイト絶縁膜となる絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜上にゲイト電極部を形成する工程と、前記ゲイト電極部をマスクとして、前記絶縁被膜をエッチングして、前記絶縁被膜を薄くする工程と、前記半導体領域中にゲイト電極をマスクとして自己整合的に不純物元素を導入する工程と、前記絶縁被膜を通して、前記半導体領域にレーザーもしくはそれと同等な強光を照射して、前記半導体領域の結晶性を向上せしめる工程とを有するMISトランジスタの作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
, H01L 21/265
H01L 29/78 311 P
, H01L 21/265 B
, H01L 29/78 311 Y
