特許
J-GLOBAL ID：200903005565710033
半導体装置のパターニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207117
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045595
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 より単純なプロセスにより正確なパターニングを行うことができる半導体装置のパターニング方法を提供する。【構成】 ガラス基板1上にCr材料層2を形成し、このCr材料層2を配線層として用いるためのパターニングを行う。形成すべき配線層のパターンに対応する形状の開口窓が形成されたマスク板3を通して、カウフマン型イオン銃40により、弗素イオンF+の平行なイオン流を材料層2に向けて照射する。材料層2の表面では、マスク板3のパターンに対応する領域にイオンが衝突するため、この領域には弗素化合物膜が形成されている。Crと弗素化合物膜とでエッチングレートの異なるエッチングを行えば、所望の配線層がパターニングされる。
請求項（抜粋）：
製造工程途中の半導体装置を構成する材料層について、その一部を除去することによって所定のパターンを形成する半導体装置のパターニング方法であって、前記材料層に対して化学反応を生じる反応性粒子を、前記材料層の層面に対してほぼ垂直な方向から照射し、前記反応性粒子の照射経路の途中に、前記材料層に形成すべき所定のパターンに対応する形状の開口窓をもったマスク板を、前記材料層の層面にほぼ平行になるように配置し、前記反応性粒子の一部のみが前記マスク板を通過して前記材料層に衝突するようにし、前記反応性粒子が衝突した前記材料層の衝突領域に、前記材料層と前記反応性粒子との間の化学反応によって生じる化合物を形成させ、前記材料層と前記化合物との間でエッチングレートの異なるエッチングを行いパターン形成を行うことを特徴とする半導体装置のパターニング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, G03F 1/16
, H01L 21/3213
, H01L 29/786
H01L 21/302 B
, H01L 21/88 C
, H01L 29/78 311 F
