特許
J-GLOBAL ID：200903005566879406
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324181
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163132
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗かつ高信頼性の接続孔を含む多層配線構造を形成する。【解決手段】 半導体基板1上の層間絶縁膜5に開口された接続孔6と、層間絶縁膜5の下に形成され、かつ接続孔6の直下の部分が等方的にエッチングされた第1のアルミニウム配線4と、接続孔6に埋め込まれ、かつ層間絶縁膜5上に形成された第2のアルミニウム配線8とを備え、第2のアルミニウム配線8の下と、接続孔6の側壁部と、第1のアルミニウム配線4と第2のアルミニウム配線8との界面の一部に導電膜7が形成され、第1のアルミニウム配線4と第2のアルミニウム配線8とが直接接触している。このように、第1のアルミニウム配線4と第2のアルミニウム配線8とが直接接触する構造になっているため、エレクトロマイグレーションによるAl原子の流れが連続的になり、接続孔6近傍の配線にボイドが発生し難くなり、抵抗の上昇や断線が発生し難くなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた層間絶縁膜に開口された接続孔と、前記層間絶縁膜の下に形成され、かつ前記接続孔の直下の部分が等方的にエッチングされた第1の配線と、前記接続孔に埋め込まれ、かつ前記層間絶縁膜上に形成された第1の配線と同じ組成の第2の配線とを備え、前記第2の配線の下と、前記接続孔の側壁部と、前記第1の配線と前記第2の配線との界面の一部に、前記第2の配線の密着性を良くするための導電膜が形成され、前記第1の配線と前記第2の配線とが直接接触していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 A
, H01L 21/88 M
