特許

J-GLOBAL ID：200903005567002575

半導体ダイヤモンドの形成方法及び装置

発明者： 出口 正洋 ,  北畠 真 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-302130
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151331
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】ダイヤモンドまたは基板素材上に堆積されたダイヤモンド薄膜に加速した粒子を照射しながら、ラジカル状態またはイオン状態の水素を含む雰囲気に晒すことにより、ドナーやアクセプタ準位を形成する不純物元素をダイヤモンドに制御性良く導入し、p形およびn形の半導体ダイヤモンドを形成する。【構成】ダイヤモンド1を基板保持台7に設置して真空にし、粒子2としてイオン源より取り出されたホウ素イオン(B+ )を100keVに加速してダイヤモンド1に1×1015個/cm2 照射しながら、バケット型イオン源14よりイオン電流密度として 0.01 〜0.1mA/cm2 の水素イオンを同時に照射する。ダイヤモンド1の表層約 0.3μmの領域にホウ素原子が打ち込まれ、かつ損傷がなくホウ素が活性化したp型の半導体ダイヤモンド層4が形成できる。同様にリンイオンを照射するとn形の半導体ダイヤモンド層が形成できる。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドまたは基板素材上に堆積されたダイヤモンド薄膜に加速した粒子を照射しながら、ラジカル状態またはイオン状態の水素を含む雰囲気に晒すことからなる半導体ダイヤモンドの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  C30B 29/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 材料の損傷除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-256822   出願人：松下電器産業株式会社, 大阪ダイヤモンド工業株式会社
• 特開平1-100093