特許

J-GLOBAL ID：200903005567516714

アバランシェフォトダイオード

発明者： 鷹野 秀明 ,  中村 均 ,  田中 滋久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-178384
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038141
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】パシベーション膜被覆に伴う素子特性の劣化問題の改善、および素子寿命の長期化に好適な構造を有するIII-V族化合物半導体材料系メサ型アバランシェフォトダイオードを提供する。【構成】メサ型アバランシェフォトダイオードのメサ側面に設けられたパシベーション膜の一部、もしくはすべてを半導体結晶膜10で構成する。このパシベーション半導体結晶膜10は、信号光エネルギー吸収によりキャリアを発生させ、その数を増倍させる結晶層5の内で最も大きなバンドギャップを有する結晶と同じかより大きなバンドギャップを有する半導体結晶で形成する。【効果】暗電流が激減し、パシベーション膜被覆に伴う素子特性の劣化は解消され、定電流を流すのに必要なブレークダウン電圧の経時変化は極めて少なく、素子寿命の長期化に有効である。

請求項（抜粋）：

メサ型アバランシェフォトダイオードのメサ側面に設けられたパシベーション膜の一部もしくはすべてを、信号光エネルギー吸収によりキャリアを発生させ、その数を増倍させる結晶層の内で最も大きなバンドギャップを有する結晶と同じか、より大きなバンドギャップを有する半導体結晶で構成して成るアバランシェフォトダイオード。