特許

J-GLOBAL ID：200903005570004139

シリコン酸化膜の評価方法および半導体装置の製造方法

発明者： 岡島 武彦
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (2件)： 前田 実 ,  山形 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-309402
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146572
出願日： 2002年10月24日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】シリコン酸化膜の層間膜を有するFETのパワー劣化を、層間膜形成の製造工程において、容易かつ短時間で、評価、管理、および制御できるようにする。【解決手段】上記シリコン酸化膜をFT-IR(Fourier Transform-Infrared)分析し、得られたFT-IR分析特性においてのSi-Si伸縮振動を示す波数880[cm-1]のピークをもとに、上記シリコン酸化膜において電子トラップとして働き、FETのパワー劣化の指標となるSi-Si結合の含有量を評価する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に成膜したシリコン酸化膜の評価方法において、 上記シリコン酸化膜をFT-IR(Fourier Transform-Infrared)分析し、 得られたFT-IR分析特性においてのSi-Si伸縮振動を示す波数880[cm-1]のピークをもとに、上記シリコン酸化膜において電子トラップとして働くSi-Si結合の含有量を評価する ことを特徴とするシリコン酸化膜の評価方法。

IPC (4件)：

H01L21/66 ,  G01N21/00 ,  G01N21/35 ,  H01L29/80

FI (5件)：

H01L21/66 Q ,  H01L21/66 V ,  G01N21/00 B ,  G01N21/35 Z ,  H01L29/80 Z

Fターム (28件)：

2G059AA01 ,  2G059BB16 ,  2G059CC01 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059EE12 ,  2G059FF03 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ01 ,  2G059MM01 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AA13 ,  4M106AB01 ,  4M106BA08 ,  4M106CB30 ,  4M106DH13 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GR04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08