特許

J-GLOBAL ID：200903005571769228

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 山本 三郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031845
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223438
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 積層構造中の空洞に起因する特性のばらつきのない半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-GaAsバッファ層4、n-AlGaAs第1クラッド層5、AlGaAs活性層6、p-AlGaAs第2下側クラッド層7、GaAsエッチング停止層10、p-AlGaAs第2上側クラッド層11、p-GaAsキャップ層12、およびAl0.6Ga0.4As成長防止層25を積層した(a)後、この積層構造体にストライプ状のメサ部15を形成する(b),(c)。次に、レジスト膜26を全て除去した後、キャップ層12の両側領域に残ったひさし部30を、高真空のMBE装置内で蒸発させて消失した(d)後、電流阻止層18をMBE成長する。上記ひさし部30が無いので、空洞のない積層構造体を形成でき、安定した性能の半導体レーザ素子を得られる。

請求項（抜粋）：

リッジストライプ型半導体レーザ素子の製造方法であって、半導体基板上に、分子線エピタキシー法によって、第1クラッド層,活性層,第2クラッド層およびキャップ層を順次積層し、ホトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、上記第2クラッド層およびキャップ層をリッジ状ストライプの形状にパターニングして積層構造体を得、この積層構造体を分子線エピタキシー装置内において高真空下で加熱し、上記パターニングの際に上記第2クラッド層の上面からひさし状に突出して残った上記キャップ層のひさし部を蒸発させて除去し、上記分子線エピタキシー装置内において、分子線エピタキシー法によって、上記第2クラッド層の両側領域および上記第2クラッド層の両側面に電流阻止層を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

Fターム (7件)：

5F073AA13 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA06 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28