特許

J-GLOBAL ID：200903005575539634

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 大川 実
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012871
公開番号（公開出願番号）：特開平5-205491
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 フラッシュメモリのテスト動作時の消去時間を短縮する。【構成】 この発明に係るフラッシュメモリは、テスト動作時に外部からの信号に応答してコマンドデコーダ13から出力されたテスト用消去ベリファイコマンドに応答して、テスト用消去ベリファイ電圧を発生するベリファイ電圧発生回路11を備えて構成されている。このテスト用消去ベリファイ電圧は、通常動作時に発生する消去ベリファイ電圧よりも高く、テスト用消去ベリファイ電圧がXデコーダ4及びYデコーダ5に印加されて消去ベリファイが実行される。【効果】 テスト用消去ベリファイ電圧が通常動作時に用いられる消去ベリファイ電圧よりも高いため、通常動作時より少ない消去パルスで消去がなされたと判断されるので、テスト動作時における消去時間を短縮することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも行及び列方向にアレイ状に配置された複数個のメモリセルと、外部から入力されたアドレス信号をデコードして行及び列方向の選択を行うXデコーダ及びYデコーダと、メモリセルに記憶された情報が“1”であるか“0”であるかを判定するセンスアンプを備えた電気的に情報の書き込み・消去が可能な不揮発性半導体記憶装置において、テスト動作時に、外部からの制御信号に応答して通常動作時の消去ベリファイ電圧よりも高いテスト用消去ベリファイ電圧を発生するベリファイ電圧発生回路を備えた不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  G11C 29/00 303 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371