特許

J-GLOBAL ID：200903005581701400

有機硅素重合体と半導体装置の製造方法

発明者： 福山 俊一 ,  小林 倫子 ,  大倉 嘉之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-156021
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：

【要約】【目的】 有機硅素重合体とこれを用いた層間絶縁膜の製造方法に関し、耐熱性と平坦化性に優れた絶縁材料を提供することを目的とする。【構成】 次の一般式(1)で表され1000〜5,000,000の重量平均分子量を有する有機硅素重合体を用いるか、或いは、この有機硅素重合体中に含まれるシラノール基の水素原子の一部を次の一般式(2) で表されるトリオルガノシリル基で置換した有機硅素重合体を用いて半導体集積回路の層間絶縁膜を構成する。( RA SiO1.5) n ・・・・・・・(1)但し、 RA は低級フルオロアルキル基、nは10〜50,000の整数( RB )3Si- ・・・・・・・・(2)但し、 RB は低級フルオロアルキル基またはアリール基、

請求項（抜粋）：

次の一般式で表され1000〜5,000,000 の重量平均分子量を有することを特徴とする有機硅素重合体。( RA SiO1.5) n ・・・・・・・(1)但し、 RA は低級フルオロアルキル基、nは10〜50,000の整数

IPC (4件)：

C08G 77/385 NUF ,  C08G 77/24 NUJ ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/90