チオフェンカルボキシレート金属錯体を用いた電界発光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小田島平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-569458
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524830
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：

【要約】基質、陽極、電界発光素子および陰極を含んで成っていてこの2つの電極の少なくとも1つが可視スペクトル領域を透過しそして前記電界発光素子が下記の群:正孔注入ゾーン、正孔輸送ゾーン、電界発光ゾーン、電子輸送ゾーンおよび電子注入ゾーンの1つまたは数個のゾーンを含有する電界発光装置。この利用できるゾーンの各々がまたそのように示した他のゾーンに属する仕事も取り扱うようにすることも可能である。本発明は、前記電界発光素子にチオフェンカルボキシレート金属錯体を含有させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基質、陽極、電界発光素子および陰極を含んで成っていてこの2つの電極の少なくとも1つが可視スペクトル領域を透過しそして前記電界発光素子が正孔注入ゾーン、正孔輸送ゾーン、電界発光ゾーン、電子輸送ゾーンおよび電子注入ゾーンから成る群から選択される1つ以上のゾーンを指定順で含んで成るがこの存在するゾーンの各々がまた他の前記ゾーンの機能も引き受けていてもよい電界発光アセンブリであって、前記電界発光素子がチオフェンカルボキシレート-金属錯体を含有することを特徴とする電界発光アセンブリ。

IPC (15件)：

H05B 33/14 , C08G 61/00 , C08K 5/18 , C08L 25/18 , C08L 33/02 , C08L 35/00 , C08L 41/00 , C08L 65/00 , C09K 11/06 660 , C09K 11/06 690 , H05B 33/22 , C07D215/24 , C07D333/24 , C07D333/40 , C07F 5/00

FI (16件)：

H05B 33/14 B , C08G 61/00 , C08K 5/18 , C08L 25/18 , C08L 33/02 , C08L 35/00 , C08L 41/00 , C08L 65/00 , C09K 11/06 660 , C09K 11/06 690 , H05B 33/22 B , H05B 33/22 D , C07D215/24 , C07D333/24 , C07D333/40 , C07F 5/00 H

Fターム (24件)：

3K007AB04 , 3K007AB06 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007DA01 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 4C023EA07 , 4C023HA02 , 4H048AA03 , 4H048AB92 , 4H048VA20 , 4H048VA32 , 4H048VA42 , 4H048VA85 , 4H048VB10 , 4J002BC122 , 4J002BG012 , 4J002BH022 , 4J002BQ002 , 4J002CE001 , 4J002EN086 , 4J032BA04 , 4J032BB01

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