特許

J-GLOBAL ID：200903005583519162

気相成長装置

発明者： 岡山 智
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176634
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007959
出願日： 1995年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 成膜速度及び膜特性を有効に均一化する気相成長装置を提供する。【構成】 複数の基板11を列設収容した反応容器13の一端及び他端にそれぞれ設けた第1のガス供給手段15,16及び第1の排気手段24と、反応容器13の他端及び一端にそれぞれ設けた第2のガス供給手段17,18及び第2の排気手段23と、各ガス供給手段及び各排気手段に対応して設けられ、各々のガス供給及びガス排出を制御する開閉弁21a,21b,22a,22b,26,27と、を備えている。開閉弁の操作により、反応容器13の一端から他端へ向う第1の反応ガス流路100と反応容器13の他端から一端へ向う第2の反応ガス流路200とを切り替えて形成する。反応ガスの各基板に流れる方向を切り替えることで、同一の成膜温度で膜を成長させることができる。

請求項（抜粋）：

複数の基板を列設収容した反応容器の一端及び他端にそれぞれ設けた第1のガス供給手段及び第1の排気手段と、前記反応容器の他端及び一端にそれぞれ設けた第2のガス供給手段及び第2の排気手段と、各ガス供給手段及び各排気手段に対応して設けられ、各々のガス供給及びガス排出を制御する開閉弁と、を備え、前記開閉弁の操作により、反応容器の一端から他端へ向う第1の反応ガス流路と反応容器の他端から一端へ向う第2の反応ガス流路とを切り替えて形成するようにしたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C