特許

J-GLOBAL ID：200903005585680718

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 義和
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311831
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153517
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 テープキャリアのインナーリードへの半導体素子の電気的接続の信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子の電極と電気的に接続されるインナー部及びこのインナー部に連通するアウター部とからなるリードをフィルム状の基体上に形成する工程と、前記リード上の所定の部分に加熱された金属片を圧着形成する工程と、前記半導体素子8の電極と前記金属片とを1つずつ接合していく工程とを含むようにしたものである。

請求項（抜粋）：

(a)半導体素子の電極と電気的に接続されるインナー部及び該インナー部に連通するアウター部とからなるリードをフィルム状の基体上に形成する工程と、(b)前記リード上の所定の部分に加熱された金属片を圧着形成する工程と、(c)前記半導体素子の電極と前記金属片とを1つずつ接合していく工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/603

FI (3件)：

H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/603 B