特許

J-GLOBAL ID：200903005586380378

磁気抵抗効果素子

発明者： 菊地 英幸 ,  小林 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044193
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254735
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明は磁場の変化を抵抗率の変化に変換する磁気抵抗効果素子に関し、その感度の向上を目的とする。【構成】 非磁性薄膜11と、非磁性薄膜11によって仕切られた強磁性薄膜21,22と、強磁性薄膜22に直接に接触する反強磁性薄膜31とを含む薄膜群TFGを複数積層して構成され、反強磁性膜31が多数の開口又はスリット31Aを有していることが特徴となる。

請求項（抜粋）：

非磁性薄膜(11)と、該非磁性薄膜(11)によって仕切られた第1及び第2の強磁性薄膜(21,22) と、該第2の強磁性薄膜に直接に接触する反強磁性薄膜(31)とを含む薄膜群(TFG) を複数積層してなる磁気抵抗効果素子であって、上記反強磁性薄膜(31)が多数の開口又はスリット(31A) を有していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08