特許
J-GLOBAL ID：200903005587374320
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042646
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243524
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】リーク電流の小さい容量素子を有する半導体装置を得る。【構成】ポリシリコンからなる下部電極3の表面をランプアニールにより窒化し、窒化シリコン膜4を形成後、酸化タンタル膜5を化学気相成長法により形成し、さらに上部電極6として窒化チタン/タングステン膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にポリシリコン膜からなる下部電極を形成したのちこの下部電極の表面をランプアニールにより窒化する工程と、前記下部電極上に化学気相成長法によりタンタル酸化膜を形成する工程と、前記タンタル酸化膜上に窒化チタン膜とタングステン膜からなる上部電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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