シリコン単結晶へのガスドープ方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124121
公開番号（公開出願番号）：特開平9-286688
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 FZ法によるシリコン単結晶の製造において、シリコン単結晶中に生じる結晶欠陥の発生を抑制するとともに、不純物として用いる窒素の過剰添加による有転位化を回避することが可能なシリコン単結晶へのガスドープ方法を提供する。【解決手段】溶融帯域近傍の赤熱したシリコン多結晶棒2に窒素と高純度アルゴンとの混合ガスを混合ガス吹き付けノズル3を通して吹き付け、表面が窒化されたシリコン多結晶棒2を溶融することにより、シリコン単結晶5に窒素を添加する。シリコン多結晶棒2に対する窒素と高純度アルゴンとの混合ガスの吹き付け時間を調整し、窒素の総吹き付け量を1.0×1022〜6.0×1023atomsとすることにより、シリコン単結晶5に含まれる窒素濃度を制御し、窒素の過剰添加による有転位化を回避する。

請求項（抜粋）：

浮遊帯域溶融法を用いてシリコン単結晶を製造する際に、溶融帯域近傍の赤熱したシリコン多結晶棒に窒素と高純度アルゴンとの混合ガスをノズルを通して吹き付け、表面が窒化されたシリコン多結晶棒を溶融することによりシリコン単結晶に窒素を添加し、シリコン単結晶における結晶欠陥の発生を抑制することを特徴とするシリコン単結晶へのガスドープ方法。

IPC (2件)：

C30B 13/12 , C30B 29/06 501

FI (2件)：

C30B 13/12 , C30B 29/06 501 A

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