特許
J-GLOBAL ID：200903005591593495
マイクロ波プラズマCVD法用の堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287040
公開番号（公開出願番号）：特開平5-247656
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年09月24日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波プラズマCVD法を用いて大面積の堆積膜を作製しようとした時に放電空間の拡大に伴い放電生起が困難になるという問題を解決し、低い放電生起電力で大面積にわたって均一な特性の素子を安定して安価に作製することが可能な堆積膜形成装置及び形成方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の装置は、減圧された空間を形成するための容器102と、該空間にマイクロ波を導入し放電を行うための複数のマイクロ波導入手段120と、該空間を単一状態と分割状態に切り替えるための分割手段130とを有することを特徴とし、また方法は、減圧された空間内で放電状態を維持したまま、放電空間を複数の領域に分割して各領域で放電を行う複数放電工程と、単一の領域にして放電を行う単一放電工程とを適宜組み合わせて放電を行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
減圧された空間を形成するための容器と、該空間にマイクロ波を導入し放電を行うための複数のマイクロ波導入手段と、該空間を単一状態と分割状態に切り替えるための分割手段とを有することを特徴とするマイクロ波プラズマCVD法用の堆積膜形成装置。
IPC (2件)：
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