特許

J-GLOBAL ID：200903005594014097

半導体装置の製造方法

発明者： 坪井 芳朗 ,  飯沼 俊彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-074327
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274264
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【構成】半導体基板上に形成された多結晶半導体層にエッチングを行なって島状の領域を形成する工程と、ウエハ全面にマスク材を形成する工程と、前記マスク材に開孔部を設けて前記島状の多結晶半導体領域の表面の一部を露出し一部を覆った状態で残す工程と、前記マスク材をマスクとして前記多結晶半導体層に不純物を導入する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。【効果】本発明によれば開孔部の大きさを変化させるだけで導入される不純物量を制御し、同一サイズの抵抗パターンのみを用いて様々な抵抗値を持つ抵抗素子を形成できるので、不必要に大きいパターンを形成することがなく、寄生容量の低減やレイアウトの自由度の向上につながる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された半導体層にエッチングを行なって島状の領域を形成する工程と、ウエハ全面にマスク材を形成する工程と、前記マスク材に開孔部を設けて前記島状の領域の表面の部分領域を露出し他の領域を覆った状態で残す工程と、前記マスク材をマスクとして前記半導体層に不純物を導入する工程と前記半導体層を熱処理する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/266

FI (5件)：

H01L 27/04 R ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 M ,  H01L 27/04 V