特許
J-GLOBAL ID：200903005594213774
薄膜電界効果トランジスタを具える電子デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-526201
公開番号（公開出願番号）：特表平8-511380
出願日： 1995年03月21日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：
【要約】大面積電子装置(例えば、アクティブマトリックス液晶表示装置や他のフラットパルス表示装置)を製造するに際し、ドレイン領域(12)よりも低い不純物濃度でありチャネル領域(21)とドレイン領域(22)との間の横方向分離を行なう区域(2)に形成された電界緩和領域(22)を含ませることにより、寿命の安定性が一層改善されたTFTを提供する。例えばエキシマレーザからのエネルギービーム(40)を用いてドレイン領域(12)の不純物を半導体膜(20)の区域(2)に沿って半導体膜(20)の厚さ以上に亘って横方向に拡散させる。本方法は簡単であり容易に制御可能であり、横方向に不純物を拡散させることにより有益なドーピングプロファイル(図3b)が電界緩和領域(22)に沿って得られる。チャネル領域(21)付近の横方向拡散による低い不純物濃度プロファイルは電流通路に沿ってドレイン領域まで徐々に増大するので、分離区域(2)に高電界が形成されるのが防止される。ドレイン領域付近では、ドーピングプロファイルはドレイン領域の高い不純物濃度に近づくので、電界緩和領域を設けてもドレイン直列抵抗の増大が低下する。
請求項（抜粋）：
ソース領域とドレイン領域の間の半導体膜の第1の領域のチャネル領域と、チャネル領域に結合され、前記ソース領域とドレイン領域との間の電流通路を流れる電流を制御するゲートと、ゲートドレイン領域の不純物濃度よりも低い不純物を有し、チャネル領域がドレイン領域から横方向において分離されている区域に形成された電界緩和領域とを有する薄膜電界効果トランジスタを具える電子デバイスを製造するに際し、前記電流通路のチャネル領域がドレイン領域から横方向に分離されている位置に前記半導体膜の第2の区域を形成し、ドレイン領域及び前記第2の区域をエネルギービームで加熱することにより不純物の横方向拡散処理を行い、ドレイン領域の不純物を前記半導体膜の厚さより長い距離にわたって前記第2の区域まで拡散させることにより前記電界緩和領域形成することを特徴とする薄膜トランジスタを具える電子デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
