特許

J-GLOBAL ID：200903005595342446

反応性イオンエッチングによるパターニング 加工物の製造方法

発明者： 森田 成二
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-004749
公開番号（公開出願番号）：特開平6-212457
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：

【要約】【目的】 反応性イオンエッチングにおけるパターニング加工物のパターンの寸法精度を均一にする。【構成】 原盤(3)の表面にフォトレジストを塗布する第1工程、原盤(3)上の所定領域Aのフォトレジストに対して所定パターンAを露光する第2工程、原盤(3)上のフォトレジストを現像処理し、原盤(3)上の所定領域AにレジストパターンAを形成する第3工程、レジストパターンAをマスクとして、反応性イオンエッチングをする第4工程からなるパターニング加工物の製造方法の第2工程において、所定領域A以外の領域BにダミーパターンBを露光し、第2及び第3工程によりレジストパターンBを形成する。その後、反応性イオンエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

第1工程:原盤の表面にフォトレジストを塗布する工程;第2工程:前記原盤上の所定領域Aのフォトレジストに対し所定パターンAを露光する工程;第3工程:前記フォトレジストを現像処理し、前記所定領域AにレジストパターンAを形成する工程;第4工程:前記レジストパターンAをマスクとして、反応性イオンエッチングをする工程;から成るパターニング加工物の製造方法において、前記第2工程において所定領域A以外の領域BにダミーパターンBを露光し、前記第2及び第3工程によりレジストパターンBを形成することを特徴とする反応性イオンエッチングによるパターニング加工物の製造方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  C23F 1/00 102 ,  G11B 7/26 501

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-261606
  
• 操作スイッチ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-015878   出願人：ソニー株式会社