特許
J-GLOBAL ID：200903005596740267
光半導体リレー装置及びその駆動方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241115
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099433
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 MOSFETの出力側に発生するスパイクノイズを除去して安定な動作を可能にした光半導体リレー装置及びその駆動方法を提供する。【構成】 受光素子12のアノード端子側とスイッチングトランジスタ18の制御電極側の接続間及び受光素子のカソード端子側とスイッチングトランジスタの第2主電極側の接続間のいずれか一方に定電流回路14を設ける。この定電流回路は、第1抵抗体20と第1導電型の第1トランジスタ22と第2導電型の第2トランジスタ24と第1、第2及び第3接続点21、23、25とを具え、第1接続点を、第1抵抗体の一方の端子側及び第1トランジスタの第2主電極側に接続させ、かつ、第1抵抗体の他方の端子側を第1トランジスタの制御電極側及び第2トランジスタの第2主電極側に接続させ、第2接続点を、第2トランジスタの第1主電極側に接続させ、第3接続点を、第1トランジスタの第1主電極側及び第2トランジスタの制御電極側に接続させて構成してある。
請求項（抜粋）：
発光素子と、該発光素子の光を受光して電力を発生させる受光素子と、該受光素子のアノード端子及びカソード端子間に制御電極及び第2主電極が結合されているスイッチングトランジスタと、前記アノード端子及びカソード端子間に結合された放電回路とを具えた光半導体リレー装置において、前記受光素子のアノード端子側と前記スイッチイングトランジスタの制御電極側との接続間及び前記受光素子のカソード端子側と前記スイッチイングトランジスタの第2主電極側との接続間のいずれか一方に定電流回路を設けて構成したことを特徴とする光半導体リレー装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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