特許

J-GLOBAL ID：200903005597892770

単結晶成長方法及び単結晶成長装置

発明者： 久保 高行 ,  藤原 俊幸 ,  藤原 秀樹 ,  稲見 修一 ,  奥井 正彦
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131868
公開番号（公開出願番号）：特開平7-330482
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：

【要約】【構成】 坩堝31内の結晶原料の溶融液33から単結晶を引き上げつつ成長させる単結晶成長方法において、前処理工程として初期に成長させた結晶36’を一旦引き上げ除去した後、本工程としての単結晶を成長させる単結晶成長方法。【効果】 溶融液33表面付近に浮遊する異物を前処理工程で成長させた結晶36’中に殆ど取り込むことができ、本工程で単結晶の引き上げを行う際には、溶融液中には異物はほとんど存在しない。このために単結晶の有転位化を発生させずに単結晶の成長を行うことが可能になり、単結晶生産の歩留りを大幅に向上させることができる。

請求項（抜粋）：

坩堝内の結晶原料の溶融液から単結晶を引き上げつつ成長させる単結晶成長方法において、前処理工程として初期に成長させた結晶を一旦引き上げ除去した後、本工程としての単結晶を成長させることを特徴とする単結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 15/00 ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06