特許

J-GLOBAL ID：200903005600630110

薄膜半導体装置とその製造方法及び製造装置並びに画像処理装置

発明者： 青山 隆 ,  小川 和宏 ,  望月 康弘 ,  門馬 直弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201294
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068202
出願日： 1990年11月30日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】周辺回路の内蔵と駆動が可能と成るようなTFTを製造する。【解決手段】複数の反応室と、基板を挿入するためのロード室と、基板を取り出すためのアンロード室とを備えた薄膜半導体製造装置において、複数の反応室の1つはレーザー光を照射する機構を備えた。

請求項（抜粋）：

複数の反応室と、基板を挿入するためのロード室と、基板を取り出すためのアンロード室とを備えた薄膜半導体製造装置において、前記複数の反応室の1つはレーザー光を照射する機構を備えた薄膜半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-257619
  
• 特開平2-239615