特許
J-GLOBAL ID：200903005604640862
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284743
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183224
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 高密度化、高信頼化に対応し得る半導体装置の薄膜形成方法を提供する。【構成】 半導体基板を収容する反応容器内において、テトラエトキシシラン(TEOS)と、窒素酸化物とからなる混合ガス、あるいは有機シラン系化合物と、窒素化合物と、酸素化合物とからなる混合ガスに、より高い周波数を有する第1の電力と、より低い周波数を有する第2の電力とを印加することによりプラズマが発生し、このプラズマ放電エネルギにより励起された混合ガスの活性粒子同士の化学反応に基づく反応生成物が基板上に堆積しSiO2 薄膜となる。これにより、窒素を含有し水分の含有が少ないSiO2 薄膜が形成されるとともにアスペクト比の高い段差に対してもオーバハングの無い被覆形状が得られ、さらに段差部側壁の膜厚は薄いのでSOG法などによる平坦化技術と併せて使用しても耐湿性の向上を計ることができる。したがって、高集積化した大規模集積回路の信頼性向上に寄与できる。
請求項（抜粋）：
基板を収容する反応容器内において、有機シラン系化合物と、窒素酸化物とからなる混合ガスに、より高い周波数を有する第1の電力と、より低い周波数を有する第2の電力とを印加してプラズマを発生させるステップと、このプラズマ放電エネルギにより混合ガスを励起させて反応生成物を前記基板上に堆積させるステップとからなることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/316
