特許

J-GLOBAL ID：200903005611567240

AlGaAs化合物半導体の結晶成長方法及び半導体レーザの製造方法

発明者： 石田 真也 ,  大久保 伸洋
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214620
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068235
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 MOCVD法を用いてAlGaAs成長膜を形成する際には、低いキャリア濃度の成長膜を形成するためには、結晶成長温度を比較的下げて作成していたが、酸素、水などの不純物が多くなり、また、成長層の結晶性も悪化するという問題があった。【解決手段】 有機金属気相成長方法を用いて、AlxGa1-xAs(x≧0.5)化合物半導体の結晶成長を行う方法において、成長温度が750°C以上850°Cであり、V族原料ガス量とIII族原料ガス量との比V/IIIが150以上であるような条件にすることによって、低キャリア濃度であり、酸素など不純物の少なく、結晶性のよいAlGaAs成長膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長方法を用いて、AlxGa1-xAs(x≧0.5)化合物半導体の結晶成長を行う方法において、成長温度が750°C以上850°Cであり、V族原料ガス量とIII族原料ガス量との比V/IIIが150以上であることを特徴とするAlGaAs化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A