特許

J-GLOBAL ID：200903005611975250

半導体装置,電力変換装置及び自動車

発明者： 白川 真司 ,  三島 彰 ,  福本 英士 ,  増野 敬一 ,  印南 敏之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226192
公開番号（公開出願番号）：特開2002-044964
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】電力変換器の大電流化に伴なうスイッチング時の跳ね上がり電圧の増大と電力損失の増大の原因となるインダクタンスの低減。【解決手段】半導体スイッチをブリッジ接続する正極側導体と負極側導体を幅広導体とし、絶縁体を挟むことで積層化した前記正極側導体と負極側導体を有する半導体装置において、前記正極側導体と負極側導体を半導体装置ケースより延長し、前記の積層化した正極側導体と負極側導体の延長部位に電解コンデンサを接続することを特徴とする半導体装置と前記半導体装置を用いた電力変換装置によって達成できる。【効果】半導体装置おけるスイッチング時の跳ね上がり電圧とスイッチング損失の抑制により、より大電流を出力する半導体装置及び電力変換器を提供することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも2個の制御可能な半導体スイッチと、少なくとも1つの出力端子と、前記出力端子を備えたケースを有し、半導体スイッチを介してブリッジ接続する正極側導体板と負極側導体板の少なくとも一部に絶縁体を挟むことで積層化し、積層化した正極側導体板と負極側導体板を前記ケース表面に露出させた半導体装置。

IPC (2件)：

H02M 7/5387 ,  H02M 1/00

FI (2件)：

H02M 7/5387 Z ,  H02M 1/00 F

Fターム (14件)：

5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007HA03 ,  5H740BA12 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740MM10 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03 ,  5H740PP04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体パワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-172774   出願人：三菱電機株式会社
• 電力変換装置並びに多層積層導体と電気部品接続体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-254677   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-108985   出願人：三菱電機株式会社