特許

J-GLOBAL ID：200903005614312316

半導体装置の製造方法

発明者： 北島 洋 ,  伊藤 浩之
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-201027
公開番号（公開出願番号）：特開2005-044888
出願日： 2003年07月24日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】SiO2膜のエッチングを抑制してHfO2膜を選択的にエッチングすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置の製造方法において、ゲート絶縁膜の形成は、シリコン基板101の上にSiO2膜104を形成する工程と、SiO2膜104の上にHfO2膜105を形成する工程と、ゲート電極下を残してHfO2膜105をウェットエッチングする工程とを有する。ウェットエッチングは、シリコンを含むpH4以下のHF水溶液を用いて行う。シリコン基板101の上にHfO2膜105を直接形成してもよい。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置の製造方法において、 前記ゲート絶縁膜の形成は、前記シリコン基板上にHfO2膜を形成する工程と、 前記ゲート電極下を残して前記HfO2膜をウェットエッチングする工程とを有し、 前記ウェットエッチングは、シリコンを含むpH4以下のHF水溶液を用いて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/308 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/308 E ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301F

Fターム (17件)：

5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043GG10 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG39 ,  5F140BG45 ,  5F140CB04 ,  5F140CE13