特許

J-GLOBAL ID：200903005615566206

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 飛田 昭博 ,  白井 優之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-116869
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316359
出願日： 1995年05月16日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 バンプの寿命と接続信頼性を向上させる半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】 球状のバンプ2を収容するバンプ収容部3aが形成されかつ半導体素子1を搭載する素子搭載基板3を有し、バンプ2がバンプ収容部3aに転動可能に設けられ、バンプ2と半導体素子1上の電極1aとが、またはバンプ2と素子搭載基板3上の配線部3bとが細い導電性ワイヤ4によって電気的に接続され、素子搭載基板3がバンプ2を介して実装基板に搭載される。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載する素子搭載基板が球状のバンプを介して実装基板に搭載される半導体集積回路装置であって、前記バンプが前記素子搭載基板に形成されたバンプ収容部に転動可能に設けられ、前記バンプと前記半導体素子上の電極、または前記バンプと前記素子搭載基板上の配線部とが細い導電性ワイヤによって電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。