特許
J-GLOBAL ID：200903005616885330
薄膜コンデンサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-114494
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315181
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 誘電体層の厚さや電極面積を変えずに容量値を変えうる薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供する。【構成】 珪素基板1の表面に形成された二酸化珪素薄膜でなる誘電体層2と、前記誘電体層2を挟むように形成された一対の対向電極3,4とから構成してある薄膜コンデンサであって、前記二酸化珪素薄膜に、分子内に共役二重結合を含みπ電子が分子全体に分布している色素又は顔料有機物を、液相析出法(LPD法)を用いて混入して構成する。
請求項（抜粋）：
珪素基板(1)の表面に形成された二酸化珪素薄膜でなる誘電体層(2)と、前記誘電体層(2)を挟むように形成された一対の対向電極(3),(4)とから構成してある薄膜コンデンサであって、前記二酸化珪素薄膜に有機物を混入してある薄膜コンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/06 102
, C01B 33/12
, H01G 4/10
