特許
J-GLOBAL ID：200903005617899580
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105669
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283408
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】本発明は、素子が微細になっても、基板にダメ-ジを与えずに、平坦性に優れた層間絶縁膜を形成できる工程を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板1上に配線層3を形成する工程と、この配線層3上にシリコンナイトライド層4を形成する工程と、このシリコンナイトライド層4をマスクとして配線層3をエッチングする工程と、半導体基板1をSiO2 の過飽和溶液に浸漬し、シリコンナイトライド層4以外の領域の基板上にSiO2 膜を選択的に成長させる工程と、シリコンナイトライド層4を除去する工程とを備えていることを特徴とする
請求項（抜粋）：
基板上に金属膜を形成する工程と、この金属膜上に、液相中で所定の絶縁膜が成長しないマスクパタ-ンを形成する工程と、このマスクパタ-ンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、液相中で前記マスクパタ-ン以外の領域の基板上に所定の絶縁膜を選択的に成長させる工程と、前記マスクパタ-ンを除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/316
, H01L 21/90
