特許
J-GLOBAL ID：200903005620629240
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-354671
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158327
出願日： 2001年11月20日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 歩留が低下するのを阻止できる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ステムブロック11は、レーザチップ4を取り付ける取付面としての側面11bと、この側面11aに隣接する隣接面としての上面11bとを有している。ステムブロック11の上面11b、且つ、レーザチップ4の近傍には、レーザチップ4の固定位置を指し示すマーカ22を形成している。これにより、マーカ22に合わせてレーザチップ4をステムブロック11に高精度に固定できる。
請求項（抜粋）：
レーザチップと、上記レーザチップの固定位置を指し示すマーカが形成され、上記レーザチップを搭載する搭載部とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/022
, H01L 21/52 A
5F047AA13
, 5F047AB00
, 5F047AB01
, 5F047CA08
, 5F073BA04
, 5F073FA23
, 5F073FA30
