特許

J-GLOBAL ID：200903005624502750

半導体装置とその製造方法および研磨方法ならびに研磨装置および研磨装置の研磨面の再生方法

発明者： 小寺 雅子 ,  矢野 博之 ,  重田 厚 ,  矢島 比呂海 ,  青木 利一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016267
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265863
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置表面の凹部や凸部の存在にもかかわらず高精度な平坦化が可能であり、高い歩留まり、 高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板201上に導電膜203を形成し、前記導電膜203を選択的に除去して凹部215、216を形成する。更に、前記凹部215、216を有する導電膜203上に、少なくとも前記凹部215、216の高さ以上に絶縁膜217を形成する。そして、導電膜203をストッパーとして、前記絶縁膜217を、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて研磨除去させることによって、前記導電膜203を及び前記絶縁膜217の表面平滑化を行う。

請求項（抜粋）：

テーブル上に研磨面が設けられ、この研磨面と対向した位置に設けられた保持部に被研磨面を有する被研磨物が保持され、この保持部と前記テーブルとの間に圧力をかけて前記研磨面と前記被研磨面とを摺動させることにより前記被研磨物を研磨する際、前記研磨面および前記被研磨面の間の第1の摩擦を測定するとともに、所定時間経過後の前記研磨面および前記被研磨面の間の第2の摩擦を測定する第1の手段と、前記第1の摩擦と前記第2の摩擦との比較の値が算出される演算部と、前記比の値から前記研磨面に再生のための処理を施す時期を判断する第2の手段と、を具備することを特徴とする研磨装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/304 622 M ,  B24B 37/00 A ,  B24B 37/04 B ,  H01L 21/88 K