特許

J-GLOBAL ID：200903005625289162

半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 松本 信一 ,  野口 悦男
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313169
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164052
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 光通信用光源として重要である高抵抗層埋め込み構造半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【効果】 第一の導電型を有する半導体基板4と、該半導体基板4上に配置され、第一の導電型を有するバッファ層2、および活性層1を少なくとも含み、且つストライプ状に形成された第一のメサストライプ9と、 半絶縁性高低抗層を少なくとも有する電流阻止層5が、前記メサストライプ9の両側面に配置される半導体発光装置において、前記電流阻止層5内の半絶縁性高低抗層と活性層1との間が、素子全体を平坦化させるように素子全面に配置される第二の導電型を有する埋め込み層7によって隔てられている。

請求項（抜粋）：

第一の導電型を有する半導体基板と、該半導体基板上に配置され、第一の導電型を有するバッファ層、および活性層を少なくとも含み、且つストライプ状に形成されたメサストライプと、半絶縁性高低抗層を少なくとも有する電流阻止層が、前記メサストライプの両側面に配置される半導体発光装置において、前記電流阻止層内の半絶縁性高低抗層と活性層との間が、素子全体を平坦化させるように素子全面に配置される第二の導電型を有する埋め込み層によって隔てられている、ことを特徴とする半導体発光装置。