特許
J-GLOBAL ID：200903005631487219
フォトレジスト架橋剤用単量体、フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および半導体素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032228
公開番号（公開出願番号）：特開2000-231191
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 架橋の密度が非常に大きく、光感度が高いArF(193nm)又はEUV用のフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】下記一般式(1)に示される単量体からなるフォトレジスト架橋剤を含むフォトレジスト組成物である。【化1】前記式で、X1及びX2は、それぞれCH2、CH2CH2、O又はSであり、pは0〜5中で選択される整数であり、R1及びR2はそれぞれアルキル、エステル、ケトン、カルボン酸、アセタール、R3及びR4はそれぞれ水素又はメチルである。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)に示されることを特徴とするフォトレジスト架橋剤用単量体。【化1】前記式で、X1及びX2は、それぞれCH2、CH2CH2、O又はSであり、pは、0〜5中で選択される整数であり、R1及びR2はそれぞれ炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタール等であり、R3及びR4はそれぞれ水素又はメチルである。
IPC (6件)：
G03F 7/038 601
, G03F 7/004 503
, G03F 7/027
, G03F 7/033
, G03F 7/20 502
, H01L 21/027
G03F 7/038 601
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/027
, G03F 7/033
, G03F 7/20 502
, H01L 21/30 566
, H01L 21/30 569 F
