特許

J-GLOBAL ID：200903005631955611

半導体装置の製造方法

発明者： 金子 新二
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092321
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267338
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 LDD構造の半導体装置の製造方法において、サイドウォール下部へのホットエレクトロン注入に起因した素子の駆動能力の低下を抑制するように構成する。【構成】 P型半導体基板1にフィールド酸化膜2とゲート酸化膜3及びゲート電極4を形成し、フィールド酸化膜2とゲート電極4をマスクとして、リンPと砒素Asをイオン注入して熱処理することによって低濃度ソース・ドレイン領域5を拡散形成する。この拡散の際に、リンと砒素の拡散係数の差により、主としてリンよりなる相対的に低濃度の領域5′と砒素を多く含む相対的に高濃度の領域5′′に分けられる。次いでゲート電極4にサイドウォール6を形成し、これらをマスクとして砒素を高濃度でイオン注入し、熱処理により高濃度ソース・ドレイン領域7を形成する。

請求項（抜粋）：

P型半導体領域にゲート酸化膜とゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極をマスクとしてリンと砒素をイオン注入する工程と、熱処理によって低濃度のソース・ドレイン領域を拡散形成する工程と、前記ゲート電極に側壁を形成する工程と、前記ゲート電極と側壁をマスクとして高濃度のN型不純物をイオン注入する工程と、熱処理によって高濃度ソース・ドレイン領域を拡散形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 L