特許
J-GLOBAL ID：200903005633576120
半導体薄膜製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237818
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094411
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 InGaAs、InGaP、InAsP、GaAsP、またはInGaAsPといった化合物半導体混晶上に、分子線エピタキシ法を用いて電気的、光学的特性に良好な薄膜を成長させることを可能にする方法を提供することにある。【構成】 本発明は、基板表面に露出する化合物半導体混晶の結晶表面がIII族安定化面となるサーマルクリーニング工程を含む。また基板表面に露出する化合物半導体混晶表面の酸化物を他の化合物に置換する工程を経た後に、上記サーマルクリーニング工程を実行する方法をとってもよい。
請求項（抜粋）：
分子線エピタキシ法による半導体薄膜製造方法であって、基板表面全体がInGaAs、InGaP、InAsP、GaAsP、またはInGaAsPのうち何れか一種類である場合、基板最表面がIII族安定化面となるサーマルクリーニング工程を含むことを特徴とする半導体薄膜製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, H01L 21/268
, H01L 21/324
