特許
J-GLOBAL ID：200903005635383353
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232663
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074817
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し,ゲート長の短いT型或いはY型のゲート電極を精度よく形成する方法の提供を目的とする。【構成】 半導体基体の動作半導体層3のゲート電極形成領域に開孔を有する第1の絶縁膜5を形成し,全面に第1の絶縁膜5とエッチング選択性のある第2の絶縁膜6を堆積し,全面に第3の絶縁膜7を堆積した後それをエッチバックして,開孔部の第2の絶縁膜6を露出しかつその周囲に第3の絶縁膜7を残し,第3の絶縁膜7をマスクにして第2の絶縁膜6をエッチングし動作半導体層3を露出した後第3の絶縁膜7を除去し,全面にゲート金属層8, 9を堆積し,ゲート金属層8, 9上に少なくとも開孔部を覆うオーバーゲート金属層10を形成し, オーバーゲート金属層10をマスクにしてゲート金属層8, 9及び第2の絶縁膜6を除去し,湿式エッチングにより第1の絶縁膜5を選択的にエッチングして除去するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基体の動作半導体層(3) のゲート電極形成領域に開孔を有する第1の絶縁膜(5) を形成する工程と,次いで,全面に該第1の絶縁膜(5) とエッチング選択性のある第2の絶縁膜(6) を堆積する工程と,次いで,全面に第3の絶縁膜(7) を堆積した後該第3の絶縁膜(7) をエッチバックして,開孔部の該第2の絶縁膜(6) を露出しかつその周囲に該第3の絶縁膜(7) を残す工程と,次いで,該第3の絶縁膜(7) をマスクにして該第2の絶縁膜(6) をエッチングし,該動作半導体層(3) を露出した後該第3の絶縁膜(7) を除去する工程と,次いで,全面にゲート金属層(8, 9)を堆積する工程と,次いで,該ゲート金属層(8, 9)上に少なくとも前記開孔部を覆うオーバーゲート金属層(10)を形成する工程と,次いで,該オーバーゲート金属層(10)をマスクにして該ゲート金属層(8, 9)及び該第2の絶縁膜(6) を除去する工程と,次いで,湿式エッチングにより該第1の絶縁膜(5) を選択的にエッチングして除去する工程とを有し,該動作半導体層(3) に接触する面積より上部の面積が大きいゲート電極(8, 9,10)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
