半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-360727
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129568
出願日： 2003年10月21日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】パターン間のスペースの縮小を図る。【解決手段】半導体装置は、第1の下端部17bとこの第1の下端部17bよりも突出する第1の上端部17aとを有する第1の配線層14aと、第2の下端部18bとこの第2の下端部18bよりも突出する第2の上端部18aとを有し、第2の上端部18aは第1の上端部17aと第1の間隔Xを有して向かい合い、第2の下端部18bは第1の下端部17bと第1の間隔Xよりも大きな第2の間隔Yを有して向かい合う第2の配線層14bとを具備する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の下端部とこの第1の下端部よりも突出する第1の上端部とを有する第1の配線層と、第2の下端部とこの第2の下端部よりも突出する第2の上端部とを有し、前記第2の上端部は前記第1の上端部と第1の間隔を有して向かい合い、前記第2の下端部は前記第1の下端部と前記第1の間隔よりも大きな第2の間隔を有して向かい合う第2の配線層とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L21/8244 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L27/11 , H01L29/417

FI (6件)：

H01L27/10 381 , H01L21/28 301D , H01L21/28 301S , H01L29/50 M , H01L21/88 Q , H01L21/90 A

Fターム (67件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104DD65 , 4M104DD66 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104FF30 , 4M104GG16 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 5F033HH04 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH29 , 5F033HH30 , 5F033JJ01 , 5F033JJ25 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ29 , 5F033JJ30 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK29 , 5F033KK30 , 5F033LL04 , 5F033MM07 , 5F033NN12 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ31 , 5F033QQ58 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033VV16 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F083BS00 , 5F083BS47 , 5F083BS48 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083MA01 , 5F083MA16 , 5F083PR05

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